VLF302512MT-100M je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro VLF302512MT-100M, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro VLF302512MT-100M e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si VLF302512MT-100M s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
VLF302512MT-100M
- Part Number:
- VLF302512MT-100M
- Výrobce:
- TDK Corporation
- Popis:
- FIXED IND 10UH 950MA 299 MOHM
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 22879 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- VLF302512MT-100M.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Rozdělení: | - |
| Používání: | Shielded |
| Typ: | Wirewound |
| Velikost / Rozměry: | 0.118" L x 0.098" W (3.00mm x 2.50mm) |
| Série: | VLF-MT |
| Stav RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| hodnocení: | - |
| Polarizace: | Nonstandard |
| Ostatní jména: | 445-6784-2 VLF302512MT100M |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 105°C |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 12 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | VLF302512MT-100M |
| Výška - Sedící (Max): | 0.047" (1.20mm) |
| hardware Type: | 10µH |
| Frekvence - Test: | - |
| Frekvence - Self Resonant: | 299 mOhm Max |
| Rozšířený popis: | 10µH Shielded Wirewound Inductor 950mA 299 mOhm Max Nonstandard |
| ESR (Equivalent Resistance Series): | ±20% |
| Průměr - Rameno: | - |
| Popis: | FIXED IND 10UH 950MA 299 MOHM |
| Zpoždění: | 1MHz |
| DC Resistance (DCR): | 690mA |
| Jmenovitá hodnota proudu: | 950mA |
| Proud - Saturace: | Ferrite |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro VLF302512MT-100M
Latest News
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC