VBO40-08NO6 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro VBO40-08NO6, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro VBO40-08NO6 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si VBO40-08NO6 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
VBO40-08NO6
- Part Number:
- VBO40-08NO6
- Výrobce:
- IXYS Corporation
- Popis:
- DIODE BRIDGE 40A 800V SOT-227B
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 46370 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- VBO40-08NO6.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Peak Reverse (Max): | 800V |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 1.15V @ 20A |
| Technika: | Standard |
| Dodavatel zařízení Package: | SOT-227B |
| Série: | - |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Ostatní jména: | VBO4008NO6 |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Chassis Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 32 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Type: | Single Phase |
| Detailní popis: | Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Chassis Mount SOT-227B |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 300µA @ 800V |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io): | 40A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro VBO40-08NO6
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
VBO36-18NO8 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 30A 1800V FO-B | Dotaz |
|
VBO45-14NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 45A 1400V FO-T-A | Dotaz |
 |
VBO40-12NO6 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 40A 1200V SOT-227B | Dotaz |
|
VBO30-08NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 35A 800V PWS-A | Dotaz |
|
VBO30-18NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 35A 1800V PWS-A | Dotaz |
|
VBO45-18NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 45A 1800V FO-T-A | Dotaz |
|
VBO36-16NO8 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 30A 1600V FO-B | Dotaz |
|
VBO36-14NO8 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 30A 1400V FO-B | Dotaz |
|
VBO45-16NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 45A 1600V FO-T-A | Dotaz |
|
VBO50-14NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 50A 1400V PWS-A | Dotaz |
|
VBO30-14NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 35A 1400V PWS-A | Dotaz |
|
VBO50-12NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 50A 1200V PWS-A | Dotaz |
|
VBO50-08NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 50A 800V PWS-A | Dotaz |
|
VBO36-12NO8 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 30A 1200V FO-B | Dotaz |
|
VBO40-16NO6 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 40A 1600V SOT-227B | Dotaz |
|
VBO30-16NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 35A 1600V PWS-A | Dotaz |
|
VBO45-12NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 45A 1200V FO-T-A | Dotaz |
|
VBO30-12NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 35A 1200V PWS-A | Dotaz |
|
VBO36-08NO8 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 30A 800V FO-B | Dotaz |
|
VBO45-08NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 45A 800V FO-T-A | Dotaz |
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení