VBO25-16AO2 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro VBO25-16AO2, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro VBO25-16AO2 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si VBO25-16AO2 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
VBO25-16AO2
- Part Number:
- VBO25-16AO2
- Výrobce:
- IXYS Corporation
- Popis:
- BRIDGE RECT SGL PHASE 1600V 38A
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 22080 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- VBO25-16AO2.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Peak Reverse (Max): | 1.6kV |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 1.36V @ 55A |
| Technika: | Avalanche |
| Dodavatel zařízení Package: | FO-A |
| Série: | - |
| Obal: | Bulk |
| Paket / krabice: | 4-Square, FO-A |
| Ostatní jména: | Q2602191 |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | QC Terminal |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 32 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Type: | Single Phase |
| Detailní popis: | Bridge Rectifier Single Phase Avalanche 1.6kV QC Terminal FO-A |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 300µA @ 1600V |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io): | 38A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro VBO25-16AO2
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
VBO36-16NO8 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 30A 1600V FO-B | Dotaz |
|
VBO22-14NO8 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 21A 1400V FO-B | Dotaz |
|
VBO25-12NO2 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 31A 1200V STD FO-A | Dotaz |
|
VBO25-14NO2 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 31A 1400V STD FO-A | Dotaz |
|
VBO25-12AO2 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 31A 1200V AVAL FO-A | Dotaz |
|
VBO30-08NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 35A 800V PWS-A | Dotaz |
|
VBO22-08NO8 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 21A 800V FO-B | Dotaz |
|
VBO22-12NO8 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 21A 1200V FO-B | Dotaz |
|
VBO30-12NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 35A 1200V PWS-A | Dotaz |
|
VBO25-14AO2 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 31A 1400V AVAL FO-A | Dotaz |
|
VBO36-14NO8 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 30A 1400V FO-B | Dotaz |
|
VBO22-16NO8 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 21A 1600V FO-B | Dotaz |
|
VBO30-14NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 35A 1400V PWS-A | Dotaz |
|
VBO30-18NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 35A 1800V PWS-A | Dotaz |
|
VBO25-16NO2 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 31A 1600V AVAL FO-A | Dotaz |
|
VBO25-08NO2 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 31A 800V STD FO-A | Dotaz |
|
VBO30-16NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 35A 1600V PWS-A | Dotaz |
|
VBO36-08NO8 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 30A 800V FO-B | Dotaz |
|
VBO22-18NO8 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 21A 1800V FO-B | Dotaz |
|
VBO36-12NO8 | IXYS Corporation | RECT BRIDGE 30A 1200V FO-B | Dotaz |
Latest News
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen