V10150SHM3/4W je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro V10150SHM3/4W, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro V10150SHM3/4W e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si V10150SHM3/4W s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
V10150SHM3/4W
- Part Number:
- V10150SHM3/4W
- Výrobce:
- Popis:
- DIODE SCHOTTKY 10A 150V TO-220AB
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 21554 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- 1.V10150SHM3/4W.pdf2.V10150SHM3/4W.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Peak Reverse (Max): | Schottky |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 10A |
| Napětí - Rozdělení: | TO-220AB |
| Série: | Automotive, AEC-Q101 |
| Stav RoHS: | Tube |
| Reverse Time Recovery (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Odpor při IF, F: | - |
| Polarizace: | TO-220-3 |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 26 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | V10150SHM3/4W |
| Rozšířený popis: | Diode Schottky 150V 10A Through Hole TO-220AB |
| Konfigurace dioda: | 150µA @ 150V |
| Popis: | DIODE SCHOTTKY 10A 150V TO-220AB |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 1.2V @ 10A |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io) (za Diode): | 150V |
| Kapacitní @ Vr, F: | -40°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro V10150SHM3/4W
Latest News
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS
- Velká továrna na čipy byla ovlivněna zemětřesením: TSMC přestala naléhavě fungovat a zhoršovala zásobování GPU v nedostatku?
- Paměť Nand Flash pokračuje, MCU Detocking Bottom je správný
- Pod zásuvkou AI vzduch jsou dva hlavní giganty čipu „nejsou silní“: rozbíjení peněz na rozbití hry, vsazení na 2025 týmové bitvy