UPR60/TR7 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro UPR60/TR7, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro UPR60/TR7 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si UPR60/TR7 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
UPR60/TR7
- Part Number:
- UPR60/TR7
- Výrobce:
- Microsemi
- Popis:
- DIODE GEN PURP 600V 2A POWERMITE
- Vedoucí volný stav:
- Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
- Množství zásob:
- 43575 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- UPR60/TR7.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Peak Reverse (Max): | Standard |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 2A |
| Napětí - Rozdělení: | Powermite |
| Série: | - |
| Stav RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Reverse Time Recovery (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Odpor při IF, F: | - |
| Polarizace: | DO-216AA |
| Provozní teplota - spojení: | 30ns |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 14 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | UPR60/TR7 |
| Rozšířený popis: | Diode Standard 600V 2A Surface Mount Powermite |
| Konfigurace dioda: | 1µA @ 600V |
| Popis: | DIODE GEN PURP 600V 2A POWERMITE |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 1.6V @ 2A |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io) (za Diode): | 600V |
| Kapacitní @ Vr, F: | -55°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro UPR60/TR7
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
UPR20/TR7 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 2A POWERMITE | Dotaz |
|
UPR30E3/TR7 | Microsemi | DIODE GEN PURP 300V 2A POWERMITE | Dotaz |
|
UPR5/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 2.5A DO216 | Dotaz |
|
UPR60E3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 2A POWERMITE | Dotaz |
|
UPR60/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 2A POWERMITE | Dotaz |
|
UPR40/TR7 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 2A POWERMITE | Dotaz |
|
UPR20E3/TR7 | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 2A POWERMITE | Dotaz |
|
UPR40/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 2A POWERMITE | Dotaz |
|
UPR5E3/TR7 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 2.5A DO216 | Dotaz |
|
UPR30E3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 300V 2A POWERMITE | Dotaz |
|
UPR30/TR7 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 300V 2A POWERMITE | Dotaz |
|
UPR15E3/TR7 | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 2.5A DO216 | Dotaz |
|
UPR40E3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 2A POWERMITE | Dotaz |
|
UPR5E3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 2.5A DO216 | Dotaz |
|
UPR40E3/TR7 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 2A POWERMITE | Dotaz |
|
UPR5/TR7 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 2.5A DO216 | Dotaz |
|
UPR30/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 300V 2A POWERMITE | Dotaz |
|
UPR20/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 2A POWERMITE | Dotaz |
|
UPR20E3/TR13 | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 2A POWERMITE | Dotaz |
|
UPR60E3/TR7 | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 2A POWERMITE | Dotaz |
Latest News
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen