UNR9117G0L je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro UNR9117G0L, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro UNR9117G0L e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si UNR9117G0L s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
UNR9117G0L
- Part Number:
- UNR9117G0L
- Výrobce:
- Panasonic
- Popis:
- TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 56713 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- UNR9117G0L.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 50V |
| VCE Saturation (Max) @ IB, IC: | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Transistor Type: | PNP - Pre-Biased |
| Dodavatel zařízení Package: | SSMini3-F3 |
| Série: | - |
| Rezistor - základna (R1): | 22 kOhms |
| Power - Max: | 125mW |
| Obal: | Cut Tape (CT) |
| Paket / krabice: | SC-89, SOT-490 |
| Ostatní jména: | UNR9117G0LCT |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvence - Přechod: | 80MHz |
| Detailní popis: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 125mW Surface Mount SSMini3-F3 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 160 @ 5mA, 10V |
| Aktuální - sběratel Cutoff (Max): | 500nA |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro UNR9117G0L
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
UNR9112J0L | Panasonic | TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 | Dotaz |
|
UNR911AJ0L | Panasonic | TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 | Dotaz |
|
UNR9115J0L | Panasonic | TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 | Dotaz |
 |
UNR911BG0L | Panasonic | TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 | Dotaz |
|
UNR911BJ0L | Panasonic | TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 | Dotaz |
|
UNR9116G0L | Panasonic | TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 | Dotaz |
|
UNR9113G0L | Panasonic | TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 | Dotaz |
|
UNR9119G0L | Panasonic | TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 | Dotaz |
|
UNR9112G0L | Panasonic | TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 | Dotaz |
|
UNR9117J0L | Panasonic | TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 | Dotaz |
|
UNR9115G0L | Panasonic | TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 | Dotaz |
|
UNR9118J0L | Panasonic | TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 | Dotaz |
|
UNR9118G0L | Panasonic | TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 | Dotaz |
|
UNR9114G0L | Panasonic | TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 | Dotaz |
|
UNR9116J0L | Panasonic | TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 | Dotaz |
|
UNR911AG0L | Panasonic | TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 | Dotaz |
|
UNR9114J0L | Panasonic | TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 | Dotaz |
|
UNR911DG0L | Panasonic | TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 | Dotaz |
|
UNR9113J0L | Panasonic | TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 | Dotaz |
|
UNR9119J0L | Panasonic | TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 | Dotaz |
Latest News
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen