ULN2003APG,CN je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro ULN2003APG,CN, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro ULN2003APG,CN e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si ULN2003APG,CN s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
ULN2003APG,CN
- Part Number:
- ULN2003APG,CN
- Popis:
- IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16DIP
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 32650 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- ULN2003APG,CN.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 50V |
| VCE Saturation (Max) @ IB, IC: | 1.6V @ 500µA, 350mA |
| Transistor Type: | 7 NPN Darlington |
| Dodavatel zařízení Package: | 16-DIP |
| Série: | - |
| Power - Max: | 1.47W |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | 16-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Ostatní jména: | ULN2003APG ULN2003APG(5,M) ULN2003APG(C,N,HZA ULN2003APG(CNHZA ULN2003APG(CNHZA-ND ULN2003APG(O,M) ULN2003APG(O,NHZ) ULN2003APG(ONHZ) ULN2003APG(ONHZ)-ND ULN2003APG-ND ULN2003APGCN ULN2003APGONHZ |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvence - Přechod: | - |
| Detailní popis: | Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA 1.47W 16-DIP |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 1000 @ 350mA, 2V |
| Aktuální - sběratel Cutoff (Max): | 50µA |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 500mA |
| Číslo základní části: | ULN200*A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro ULN2003APG,CN
Latest News
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila