ULN2003AING4 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro ULN2003AING4, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro ULN2003AING4 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si ULN2003AING4 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
ULN2003AING4
- Part Number:
- ULN2003AING4
- Výrobce:
- TI
- Popis:
- IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16DIP
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 40865 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- ULN2003AING4.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 50V |
| VCE Saturation (Max) @ IB, IC: | 1.6V @ 500µA, 350mA |
| Transistor Type: | 7 NPN Darlington |
| Dodavatel zařízení Package: | 16-PDIP |
| Série: | - |
| Power - Max: | - |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | 16-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Ostatní jména: | ULN2003AINE4 ULN2003AINE4-ND |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvence - Přechod: | - |
| Detailní popis: | Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA 16-PDIP |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | - |
| Aktuální - sběratel Cutoff (Max): | 50µA |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 500mA |
| Číslo základní části: | ULN2003AI |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro ULN2003AING4
Latest News
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS