TPN2R203NC,L1Q
TPN2R203NC,L1Q
Part Number:
TPN2R203NC,L1Q
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Popis:
MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON
Vedoucí volný stav:
Bez olova / V souladu RoHS
Množství zásob:
49750 Pieces
Čas doručení:
1-2 days
Dodací lhůta:
4-8 weeks
Datový list:
TPN2R203NC,L1Q.pdf

Úvod

TPN2R203NC,L1Q je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro TPN2R203NC,L1Q, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro TPN2R203NC,L1Q e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si TPN2R203NC,L1Q s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]

Specifikace

Stav New & Original, tested
Země původu Contact us
Označovací kód Send by email
Vgs (th) (max) 'Id:2.3V @ 500µA
Vgs (Max):±20V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:8-TSON Advance (3.3x3.3)
Série:U-MOSVIII
RDS On (Max) @ Id, Vgs:2.2 mOhm @ 22.5A, 10V
Ztráta energie (Max):700mW (Ta), 42W (Tc)
Obal:Cut Tape (CT)
Paket / krabice:8-PowerVDFN
Ostatní jména:TPN2R203NC,L1QCT
TPN2R203NC,L1QCT-ND
TPN2R203NCL1QCT
Provozní teplota:150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Stav volného vedení / RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:2230pF @ 15V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:34nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):30V
Detailní popis:N-Channel 30V 45A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:45A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře