TK39J60W5,S1VQ
TK39J60W5,S1VQ
Part Number:
TK39J60W5,S1VQ
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Popis:
MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3P(N)
Vedoucí volný stav:
Bez olova / V souladu RoHS
Množství zásob:
33721 Pieces
Čas doručení:
1-2 days
Dodací lhůta:
4-8 weeks
Datový list:
TK39J60W5,S1VQ.pdf

Úvod

TK39J60W5,S1VQ je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro TK39J60W5,S1VQ, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro TK39J60W5,S1VQ e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si TK39J60W5,S1VQ s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]

Specifikace

Stav New & Original, tested
Země původu Contact us
Označovací kód Send by email
Vgs (th) (max) 'Id:3.7V @ 1.9mA
Vgs (Max):±30V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:TO-3P(N)
Série:DTMOSIV
RDS On (Max) @ Id, Vgs:65 mOhm @ 19.4A, 10V
Ztráta energie (Max):270W (Tc)
Obal:Tube
Paket / krabice:TO-3P-3, SC-65-3
Ostatní jména:TK39J60W5,S1VQ(O
TK39J60W5S1VQ
Provozní teplota:150°C (TJ)
Typ montáže:Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Stav volného vedení / RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:4100pF @ 300V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:135nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:Super Junction
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):600V
Detailní popis:N-Channel 600V 38.8A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:38.8A (Ta)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře