TE28F256P30BFA je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro TE28F256P30BFA, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro TE28F256P30BFA e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si TE28F256P30BFA s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
TE28F256P30BFA
- Part Number:
- TE28F256P30BFA
- Výrobce:
- Micron Technology
- Popis:
- IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP
- Vedoucí volný stav:
- Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
- Množství zásob:
- 57126 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- TE28F256P30BFA.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napište čas cyklu - slovo,: | 110ns |
| Napětí - Supply: | 1.7 V ~ 2 V |
| Technika: | FLASH - NOR |
| Dodavatel zařízení Package: | 56-TSOP (14x20) |
| Série: | StrataFlash™ |
| Obal: | Tray |
| Paket / krabice: | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Ostatní jména: | 898886 898886-ND TE28F256P30BF 898886 |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 2 (1 Year) |
| Typ paměti: | Non-Volatile |
| Velikost paměti: | 256Mb (16M x 16) |
| Paměťové rozhraní: | Parallel |
| Formát paměti: | FLASH |
| Stav volného vedení / RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Detailní popis: | FLASH - NOR Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 40MHz 110ns 56-TSOP (14x20) |
| Frekvence hodin: | 40MHz |
| Číslo základní části: | 28F256P30 |
| přístupová doba: | 110ns |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro TE28F256P30BFA
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení