T2080NSN8TTB je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro T2080NSN8TTB, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro T2080NSN8TTB e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si T2080NSN8TTB s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
T2080NSN8TTB
- Part Number:
- T2080NSN8TTB
- Výrobce:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Popis:
- QORIQ 64B POWER ARCH 8X 1.8GHZ
- Množství zásob:
- 34297 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- T2080NSN8TTB.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Série: | * |
| Ostatní jména: | 935325975557 |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Detailní popis: | Microprocessor IC * |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro T2080NSN8TTB
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení