STTH806G je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro STTH806G, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro STTH806G e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si STTH806G s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
STTH806G
- Part Number:
- STTH806G
- Výrobce:
- STMicroelectronics
- Popis:
- DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 21475 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- STTH806G.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Peak Reverse (Max): | Standard |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 8A |
| Napětí - Rozdělení: | D2PAK |
| Série: | - |
| Stav RoHS: | Tube |
| Reverse Time Recovery (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Odpor při IF, F: | - |
| Polarizace: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Provozní teplota - spojení: | 55ns |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Výrobní číslo výrobce: | STTH806G |
| Rozšířený popis: | Diode Standard 600V 8A Surface Mount D2PAK |
| Konfigurace dioda: | 8µA @ 600V |
| Popis: | DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 1.85V @ 8A |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io) (za Diode): | 600V |
| Kapacitní @ Vr, F: | 175°C (Max) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro STTH806G
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
STTH806D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC | Dotaz |
 |
STTH810G-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK | Dotaz |
 |
STTH810FP | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220FP | Dotaz |
 |
STTH802CT | STMicroelectronics | DIODE ARRAY GP 200V 4A TO220AB | Dotaz |
|
STTH812D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC | Dotaz |
|
STTH806G-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK | Dotaz |
 |
STTH806TTI | STMicroelectronics | DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220AB | Dotaz |
 |
STTH80S06W | STMicroelectronics | DIODE TURBO2 600V 80A DO247 | Dotaz |
|
STTH810GY-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK | Dotaz |
|
STTH810D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220AC | Dotaz |
|
STTH802G-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK | Dotaz |
|
STTH803D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 300V 8A TO220AC | Dotaz |
 |
STTH806DIRG | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC | Dotaz |
|
STTH803G-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 300V 8A D2PAK | Dotaz |
|
STTH810DI | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220AB | Dotaz |
|
STTH806DTI | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC | Dotaz |
 |
STTH810G | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAK | Dotaz |
|
STTH802FP | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 8A TO220FP | Dotaz |
|
STTH802G | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK | Dotaz |
|
STTH802D | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC | Dotaz |
Latest News
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS