STP130N8F7 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro STP130N8F7, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro STP130N8F7 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si STP130N8F7 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
STP130N8F7
- Part Number:
- STP130N8F7
- Výrobce:
- STMicroelectronics
- Popis:
- MOSFET N-CHANNEL 80V 80A TO220
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 27775 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- STP130N8F7.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Vgs (th) (max) 'Id: | - |
| Vgs (Max): | - |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-220 |
| Série: | STripFET™ F7 |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | - |
| Ztráta energie (Max): | 205W (Tc) |
| Paket / krabice: | TO-220-3 |
| Provozní teplota: | - |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 38 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 4.5V, 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 80V |
| Detailní popis: | N-Channel 80V 80A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-220 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro STP130N8F7
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
STP12NM50N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 11A TO-220 | Dotaz |
|
STP12PF06 | STMicroelectronics | MOSFET P-CH 60V 12A TO-220 | Dotaz |
 |
STP13NK60ZFP | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 13A TO-220FP | Dotaz |
|
STP130NH02L | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 24V 90A TO-220AB | Dotaz |
|
STP12NM50 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 12A TO-220 | Dotaz |
|
STP12NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 | Dotaz |
|
STP12NK60Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 10A TO220 | Dotaz |
|
STP12NK80Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 10.5A TO-220 | Dotaz |
|
STP13NK60Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 13A TO-220 | Dotaz |
|
STP13NM50N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 12A TO-220 | Dotaz |
|
STP13NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 11A TO-220 | Dotaz |
|
STP130N10F3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 120A TO-220 | Dotaz |
|
STP13N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 12A TO220 | Dotaz |
|
STP13N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 11A TO-220 | Dotaz |
|
STP12NM50FP | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP | Dotaz |
|
STP130N6F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 80A F7 TO220AB | Dotaz |
|
STP13N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 10A TO220 | Dotaz |
|
STP13NK50Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 11A TO-220 | Dotaz |
|
STP12NM50FD | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 12A TO-220 | Dotaz |
|
STP13N95K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 950V 10A TO-220 | Dotaz |
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení