STP11NM60ND
STP11NM60ND
Part Number:
STP11NM60ND
Výrobce:
STMicroelectronics
Popis:
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
Vedoucí volný stav:
Bez olova / V souladu RoHS
Množství zásob:
26757 Pieces
Čas doručení:
1-2 days
Dodací lhůta:
4-8 weeks
Datový list:
STP11NM60ND.pdf

Úvod

STP11NM60ND je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro STP11NM60ND, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro STP11NM60ND e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si STP11NM60ND s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]

Specifikace

Stav New & Original, tested
Země původu Contact us
Označovací kód Send by email
Vgs (th) (max) 'Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:TO-220AB
Série:FDmesh™ II
RDS On (Max) @ Id, Vgs:450 mOhm @ 5A, 10V
Ztráta energie (Max):90W (Tc)
Obal:Tube
Paket / krabice:TO-220-3
Ostatní jména:497-8442-5
Provozní teplota:150°C (TJ)
Typ montáže:Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:42 Weeks
Stav volného vedení / RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:850pF @ 50V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):600V
Detailní popis:N-Channel 600V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220AB
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře