STI11NM80
STI11NM80
Part Number:
STI11NM80
Výrobce:
STMicroelectronics
Popis:
MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK-3
Vedoucí volný stav:
Bez olova / V souladu RoHS
Množství zásob:
56844 Pieces
Čas doručení:
1-2 days
Dodací lhůta:
4-8 weeks
Datový list:
STI11NM80.pdf

Úvod

STI11NM80 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro STI11NM80, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro STI11NM80 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si STI11NM80 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]

Specifikace

Stav New & Original, tested
Země původu Contact us
Označovací kód Send by email
Vgs (th) (max) 'Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:I2PAK (TO-262)
Série:MDmesh™
RDS On (Max) @ Id, Vgs:400 mOhm @ 5.5A, 10V
Ztráta energie (Max):150W (Tc)
Obal:Tube
Paket / krabice:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Ostatní jména:497-13106-5
Provozní teplota:-65°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Stav volného vedení / RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:1630pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:43.6nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):800V
Detailní popis:N-Channel 800V 11A (Tc) 150W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře