STGF10M65DF2 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro STGF10M65DF2, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro STGF10M65DF2 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si STGF10M65DF2 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
STGF10M65DF2
- Part Number:
- STGF10M65DF2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
- Popis:
- IGBT TRENCH 650V 20A TO220FP
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 49686 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- STGF10M65DF2.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 650V |
| VCE (o) (Max) @ VGE, Ic: | 2V @ 15V, 10A |
| Zkušební podmínky: | 400V, 10A, 22 Ohm, 15V |
| Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C: | 19ns/91ns |
| přepínání energie: | 120µJ (on), 270µJ (off) |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-220FP |
| Série: | M |
| Reverse Time Recovery (TRR): | 96ns |
| Power - Max: | 30W |
| Paket / krabice: | TO-220-3 Full Pack |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 42 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ vstupu: | Standard |
| Typ IGBT: | Trench Field Stop |
| Gate Charge: | 28nC |
| Detailní popis: | IGBT Trench Field Stop 650V 20A 30W Through Hole TO-220FP |
| Aktuální - sběratel Pulsní (ICM): | 40A |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 20A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro STGF10M65DF2
Latest News
- ARM se objevila v Computex 2024: Očekává se, že do konce roku 2025 lze pro AI použít více než 100 miliard zařízení pro AI
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické