SQJQ960EL-T1_GE3 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro SQJQ960EL-T1_GE3, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro SQJQ960EL-T1_GE3 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si SQJQ960EL-T1_GE3 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
SQJQ960EL-T1_GE3
- Part Number:
- SQJQ960EL-T1_GE3
- Výrobce:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Popis:
- MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK8X8
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 46186 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- SQJQ960EL-T1_GE3.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 2.5V @ 250µA |
| Dodavatel zařízení Package: | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
| Série: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 9 mOhm @ 10A, 10V |
| Power - Max: | 71W |
| Obal: | Cut Tape (CT) |
| Paket / krabice: | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
| Ostatní jména: | SQJQ960EL-T1_GE3CT |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 1950pF @ 25V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 24nC @ 10V |
| Typ FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature: | Standard |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 60V |
| Detailní popis: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 63A (Tc) 71W Surface Mount PowerPAK® 8 x 8 Dual |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 63A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro SQJQ960EL-T1_GE3
Latest News
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území