SN74ABT126RGYR je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro SN74ABT126RGYR, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro SN74ABT126RGYR e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si SN74ABT126RGYR s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
SN74ABT126RGYR
- Part Number:
- SN74ABT126RGYR
- Výrobce:
- TI
- Popis:
- IC BUF NON-INVERT 5.5V 14VQFN
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 50901 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- SN74ABT126RGYR.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Supply: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Dodavatel zařízení Package: | 14-VQFN (3.5x3.5) |
| Série: | 74ABT |
| Obal: | Original-Reel® |
| Paket / krabice: | 14-VFQFN Exposed Pad |
| Typ výstupu: | 3-State |
| Ostatní jména: | 296-13889-6 |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Počet elementů: | 4 |
| Počet bitů na Element: | 1 |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 2 (1 Year) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 6 Weeks |
| Typ logiky: | Buffer, Non-Inverting |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ vstupu: | - |
| Detailní popis: | Buffer, Non-Inverting 4 Element 1 Bit per Element 3-State Output 14-VQFN (3.5x3.5) |
| Aktuální - Výstup High, Low: | 32mA, 64mA |
| Číslo základní části: | 74ABT126 |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro SN74ABT126RGYR
Latest News
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC