SIRA00DP-T1-RE3
Part Number:
SIRA00DP-T1-RE3
Výrobce:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Popis:
MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO
Množství zásob:
25993 Pieces
Čas doručení:
1-2 days
Dodací lhůta:
4-8 weeks
Datový list:
SIRA00DP-T1-RE3.pdf

Úvod

SIRA00DP-T1-RE3 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro SIRA00DP-T1-RE3, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro SIRA00DP-T1-RE3 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si SIRA00DP-T1-RE3 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]

Specifikace

Stav New & Original, tested
Země původu Contact us
Označovací kód Send by email
Vgs (th) (max) 'Id:2.2V @ 250µA
Vgs (Max):+20V, -16V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:PowerPAK® SO-8
Série:TrenchFET®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:1 mOhm @ 20A, 10V
Ztráta energie (Max):104W (Tc)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:PowerPAK® SO-8
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Výrobní standardní doba výroby:32 Weeks
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:11700pF @ 15V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:220nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):4.5V, 10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):30V
Detailní popis:N-Channel 30V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře