SIA519EDJ-T1-GE3 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro SIA519EDJ-T1-GE3, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro SIA519EDJ-T1-GE3 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si SIA519EDJ-T1-GE3 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
SIA519EDJ-T1-GE3
- Part Number:
- SIA519EDJ-T1-GE3
- Výrobce:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Popis:
- MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 57740 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- SIA519EDJ-T1-GE3.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 1.4V @ 250µA |
| Dodavatel zařízení Package: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Série: | TrenchFET® |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V |
| Power - Max: | 7.8W |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Ostatní jména: | SIA519EDJ-T1-GE3TR SIA519EDJT1GE3 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 350pF @ 10V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
| Typ FET: | N and P-Channel |
| FET Feature: | Logic Level Gate |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 20V |
| Detailní popis: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 4.5A |
| Číslo základní části: | SIA519 |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro SIA519EDJ-T1-GE3
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení