SI8273BBD-IS1R je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro SI8273BBD-IS1R, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro SI8273BBD-IS1R e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si SI8273BBD-IS1R s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
SI8273BBD-IS1R
- Part Number:
- SI8273BBD-IS1R
- Výrobce:
- Energy Micro (Silicon Labs)
- Popis:
- DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 44472 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- SI8273BBD-IS1R.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Supply: | 9.6 V ~ 30 V |
| Napětí - Izolace: | 2500Vrms |
| Napětí - vpřed (Vf) (typ): | - |
| Technika: | Capacitive Coupling |
| Dodavatel zařízení Package: | 16-SOIC |
| Série: | Automotive, AEC-Q100 |
| Doba vzestupu / pádu (typ): | 10.5ns, 13.3ns |
| Šíření impulzní šířky (Max): | 8ns |
| Propagační zpoždění tpLH / tpHL (Max): | 60ns, 60ns |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Ostatní jména: | 336-5545-2 SI8273BBD-IS1R-ND |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 125°C |
| Počet kanálů: | 2 |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 2A (4 Weeks) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 6 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Detailní popis: | 4A Gate Driver Capacitive Coupling 2500Vrms 2 Channel 16-SOIC |
| Proud - Špičkový výkon: | 4A |
| Aktuální - Výstup High, Low: | 1.8A, 4A |
| Přechodná imunita společného režimu (Min): | 150kV/µs |
| schválení: | CQC, CSA, UR, VDE |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro SI8273BBD-IS1R
Latest News
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU