SI7880ADP-T1-GE3 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro SI7880ADP-T1-GE3, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro SI7880ADP-T1-GE3 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si SI7880ADP-T1-GE3 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
SI7880ADP-T1-GE3
- Part Number:
- SI7880ADP-T1-GE3
- Výrobce:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Popis:
- MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 37279 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- SI7880ADP-T1-GE3.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | PowerPAK® SO-8 |
| Série: | TrenchFET® |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 3 mOhm @ 20A, 10V |
| Ztráta energie (Max): | 5.4W (Ta), 83W (Tc) |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | PowerPAK® SO-8 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 27 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 5600pF @ 15V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 125nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 4.5V, 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 30V |
| Detailní popis: | N-Channel 30V 40A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 40A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro SI7880ADP-T1-GE3
Latest News
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen