SI7501DN-T1-E3 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro SI7501DN-T1-E3, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro SI7501DN-T1-E3 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si SI7501DN-T1-E3 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
SI7501DN-T1-E3
- Part Number:
- SI7501DN-T1-E3
- Výrobce:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Popis:
- MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 23593 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- SI7501DN-T1-E3.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 3V @ 250µA |
| Dodavatel zařízení Package: | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Série: | TrenchFET® |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 35 mOhm @ 7.7A, 10V |
| Power - Max: | 1.6W |
| Obal: | Cut Tape (CT) |
| Paket / krabice: | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Ostatní jména: | SI7501DN-T1-E3CT |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 14nC @ 10V |
| Typ FET: | N and P-Channel, Common Drain |
| FET Feature: | Logic Level Gate |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 30V |
| Detailní popis: | Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V 5.4A, 4.5A 1.6W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 5.4A, 4.5A |
| Číslo základní části: | SI7501 |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro SI7501DN-T1-E3
Latest News
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC