SI5350A-B03806-GTR je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro SI5350A-B03806-GTR, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro SI5350A-B03806-GTR e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si SI5350A-B03806-GTR s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
SI5350A-B03806-GTR
- Part Number:
- SI5350A-B03806-GTR
- Výrobce:
- Energy Micro (Silicon Labs)
- Popis:
- ANY FREQUENCY, ANY OUTPUT, XTAL
- Množství zásob:
- 59769 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- SI5350A-B03806-GTR.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Série: | * |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 4 Weeks |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro SI5350A-B03806-GTR
Latest News
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS