SCB73F-4R7 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro SCB73F-4R7, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro SCB73F-4R7 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si SCB73F-4R7 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
SCB73F-4R7
- Part Number:
- SCB73F-4R7
- Výrobce:
- Bel
- Popis:
- FIXED IND 4.7UH 3A 56 MOHM SMD
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 27737 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- SCB73F-4R7.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Typ: | Wirewound |
| Tolerance: | ±20% |
| Dodavatel zařízení Package: | - |
| Velikost / Rozměry: | 0.291" L x 0.291" W (7.40mm x 7.40mm) |
| stínění: | Unshielded |
| Série: | SCB73F |
| hodnocení: | - |
| Q @ Freq: | - |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | Nonstandard |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 125°C |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiál - jádro: | - |
| Výrobní standardní doba výroby: | 16 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvence indukčnosti - test: | 1kHz |
| indukčnost: | 4.7µH |
| Výška - Sedící (Max): | 0.138" (3.50mm) |
| Frekvence - Self Resonant: | - |
| Detailní popis: | 4.7µH Unshielded Wirewound Inductor 3A 56 mOhm Max Nonstandard |
| DC Resistance (DCR): | 56 mOhm Max |
| Jmenovitá hodnota proudu: | 3A |
| Proud - Saturace: | 1.92A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro SCB73F-4R7
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
SCB73F-180 | Bel | FIXED IND 18UH 1.64A 160 MOHM | Dotaz |
|
SCB73F-3R3 | Bel | FIXED IND 3.3UH 3.8A 45 MOHM SMD | Dotaz |
|
SCB73F-6R8 | Bel | FIXED IND 6.8UH 2.52A 67 MOHM | Dotaz |
|
SCB73F-330 | Bel | FIXED IND 33UH 1.21A 290 MOHM | Dotaz |
 |
SCB75C-121 | Bel | FIXED IND 120UH 910MA 480 MOHM | Dotaz |
|
SCB75C-100 | Bel | FIXED IND 10UH 2.6A 50 MOHM SMD | Dotaz |
|
SCB73F-560 | Bel | FIXED IND 56UH 780MA 480 MOHM | Dotaz |
|
SCB73F-270 | Bel | FIXED IND 27UH 1.34A 240 MOHM | Dotaz |
|
SCB73F-1R2 | Bel | FIXED IND 1.2UH 5.5A 25 MOHM SMD | Dotaz |
|
SCB73F-2R2 | Bel | FIXED IND 2.2UH 4.4A 32 MOHM SMD | Dotaz |
|
SCB75C-151 | Bel | FIXED IND 150UH 810MA 730 MOHM | Dotaz |
|
SCB73F-680 | Bel | FIXED IND 68UH 720MA 600 MOHM | Dotaz |
|
SCB75C-120 | Bel | FIXED IND 12UH 2.34A 70 MOHM SMD | Dotaz |
|
SCB75C-150 | Bel | FIXED IND 15UH 2.1A 80 MOHM SMD | Dotaz |
|
SCB73F-390 | Bel | FIXED IND 39UH 1.1A 340 MOHM SMD | Dotaz |
|
SCB75C-101 | Bel | FIXED IND 100UH 960MA 440 MOHM | Dotaz |
|
SCB73F-220 | Bel | FIXED IND 22UH 1.58A 180 MOHM | Dotaz |
|
SCB73F-1R5 | Bel | FIXED IND 1.5UH 5A 26 MOHM SMD | Dotaz |
|
SCB73F-820 | Bel | FIXED IND 82UH 680MA 710 MOHM | Dotaz |
|
SCB73F-470 | Bel | FIXED IND 47UH 920MA 410 MOHM | Dotaz |
Latest News
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný