SC75-220 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro SC75-220, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro SC75-220 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si SC75-220 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
SC75-220
- Part Number:
- SC75-220
- Výrobce:
- Bel
- Popis:
- FIXED IND 22UH 2.1A 110 MOHM SMD
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 35712 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- SC75-220.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Typ: | Wirewound |
| Tolerance: | ±20% |
| Dodavatel zařízení Package: | - |
| Velikost / Rozměry: | 0.319" L x 0.287" W (8.10mm x 7.30mm) |
| stínění: | Unshielded |
| Série: | SC75 |
| hodnocení: | - |
| Q @ Freq: | - |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | Nonstandard |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 125°C |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiál - jádro: | - |
| Výrobní standardní doba výroby: | 16 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvence indukčnosti - test: | 2.52MHz |
| indukčnost: | 22µH |
| Výška - Sedící (Max): | 0.209" (5.30mm) |
| Frekvence - Self Resonant: | - |
| Detailní popis: | 22µH Unshielded Wirewound Inductor 2.1A 110 mOhm Max Nonstandard |
| DC Resistance (DCR): | 110 mOhm Max |
| Jmenovitá hodnota proudu: | 2.1A |
| Proud - Saturace: | 1.5A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro SC75-220
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
SC75-101 | Bel | FIXED IND 100UH 900MA 430 MOHM | Dotaz |
|
SC75-100 | Bel | FIXED IND 10UH 3.2A 70 MOHM SMD | Dotaz |
|
SC75-471 | Bel | FIXED IND 470UH 460MA 1.96 OHM | Dotaz |
|
SC75-470 | Bel | FIXED IND 47UH 1.47A 180 MOHM | Dotaz |
 |
SC74LCX16245DTRG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | INTEGRATED CIRCUIT | Dotaz |
|
SC75-330 | Bel | FIXED IND 33UH 1.7A 150 MOHM SMD | Dotaz |
|
SC75-221 | Bel | FIXED IND 220UH 680MA 960 MOHM | Dotaz |
|
SC75-151 | Bel | FIXED IND 150UH 800MA 640 MOHM | Dotaz |
|
SC75-331 | Bel | FIXED IND 330UH 520MA 1.26 OHM | Dotaz |
|
SC74LCX16373DTRG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | INTEGRATED CIRCUIT | Dotaz |
|
SC75-270 | Bel | FIXED IND 27UH 1.85A 120 MOHM | Dotaz |
|
SC75-120 | Bel | FIXED IND 12UH 3A 80 MOHM SMD | Dotaz |
|
SC75-121 | Bel | FIXED IND 120UH 860MA 470 MOHM | Dotaz |
|
SC75-271 | Bel | FIXED IND 270UH 600MA 1.11 OHM | Dotaz |
|
SC75-390 | Bel | FIXED IND 39UH 1.55A 160 MOHM | Dotaz |
|
SC75-180 | Bel | FIXED IND 18UH 2.4A 100 MOHM SMD | Dotaz |
|
SC75-391 | Bel | FIXED IND 390UH 500MA 1.77 OHM | Dotaz |
|
SC75-560 | Bel | FIXED IND 56UH 1.3A 240 MOHM SMD | Dotaz |
|
SC75-150 | Bel | FIXED IND 15UH 2.75A 90 MOHM SMD | Dotaz |
|
SC75-181 | Bel | FIXED IND 180UH 760MA 710 MOHM | Dotaz |
Latest News
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný