SBR660CTLQ-13 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro SBR660CTLQ-13, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro SBR660CTLQ-13 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si SBR660CTLQ-13 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
SBR660CTLQ-13
- Part Number:
- SBR660CTLQ-13
- Výrobce:
- Diodes Incorporated
- Popis:
- DIODE ARRAY SBR 60V 3A TO252
- Vedoucí volný stav:
- Obsahuje olovo a RoHS
- Množství zásob:
- 34716 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- SBR660CTLQ-13.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 570mV @ 3A |
| Napětí - DC Reverse (Vr) (Max): | 60V |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-252, (D-Pak) |
| Rychlost: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Série: | SBR® |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Ostatní jména: | SBR660CTLQ-13DITR |
| Provozní teplota - spojení: | -65°C ~ 150°C |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Contains lead / RoHS Compliant |
| Diode Type: | Super Barrier |
| Konfigurace dioda: | 1 Pair Common Cathode |
| Detailní popis: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Super Barrier 60V 3A Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 300µA @ 60V |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io) (za Diode): | 3A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro SBR660CTLQ-13
Latest News
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC