S34ML04G100BHA000 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro S34ML04G100BHA000, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro S34ML04G100BHA000 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si S34ML04G100BHA000 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
S34ML04G100BHA000
- Part Number:
- S34ML04G100BHA000
- Výrobce:
- Cypress Semiconductor
- Popis:
- IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 32233 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- S34ML04G100BHA000.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napište čas cyklu - slovo,: | 25ns |
| Napětí - Supply: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Technika: | FLASH - NAND |
| Dodavatel zařízení Package: | 63-BGA (11x9) |
| Série: | ML-1 |
| Obal: | Tray |
| Paket / krabice: | 63-VFBGA |
| Ostatní jména: | 428-4257 S34ML04G100BHA000-ND |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Typ paměti: | Non-Volatile |
| Velikost paměti: | 4Gb (512M x 8) |
| Paměťové rozhraní: | Parallel |
| Formát paměti: | FLASH |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Detailní popis: | FLASH - NAND Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 63-BGA (11x9) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro S34ML04G100BHA000
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení