RU 2BV1 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro RU 2BV1, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro RU 2BV1 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si RU 2BV1 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
RU 2BV1
- Part Number:
- RU 2BV1
- Výrobce:
- Sanken Electric Co., Ltd.
- Popis:
- DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 26831 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- 1.RU 2BV1.pdf2.RU 2BV1.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 1.5V @ 1A |
| Napětí - DC Reverse (Vr) (Max): | 800V |
| Dodavatel zařízení Package: | - |
| Rychlost: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Série: | - |
| Reverse Time Recovery (TRR): | 400ns |
| Obal: | Tape & Box (TB) |
| Paket / krabice: | Axial |
| Ostatní jména: | RU 2BV1 DK RU 2BV1-ND RU2BV1 |
| Provozní teplota - spojení: | -40°C ~ 150°C |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Type: | Standard |
| Detailní popis: | Diode Standard 800V 1A Through Hole |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 10µA @ 800V |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io): | 1A |
| Kapacitní @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro RU 2BV1
Latest News
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS
- Velká továrna na čipy byla ovlivněna zemětřesením: TSMC přestala naléhavě fungovat a zhoršovala zásobování GPU v nedostatku?
- Paměť Nand Flash pokračuje, MCU Detocking Bottom je správný