RL1220T-R033-G je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro RL1220T-R033-G, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro RL1220T-R033-G e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si RL1220T-R033-G s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
RL1220T-R033-G
- Part Number:
- RL1220T-R033-G
- Výrobce:
- Susumu
- Popis:
- RES 0.033 OHM 2% 1/4W 0805
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 22317 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- 1.RL1220T-R033-G.pdf2.RL1220T-R033-G.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Tolerance: | ±2% |
| teplotní koeficient: | 0/ +350ppm/°C |
| Dodavatel zařízení Package: | 0805 |
| Velikost / Rozměry: | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| Série: | RL |
| Režim panel: | 33 mOhms |
| Příkon (W): | 0.25W, 1/4W |
| Obal: | Original-Reel® |
| Paket / krabice: | 0805 (2012 Metric) |
| Ostatní jména: | RL12T.033GDKR |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 125°C |
| Počet účastnických ukončení: | 2 |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 10 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Výška - Sedící (Max): | 0.020" (0.50mm) |
| Funkce: | Current Sense |
| Poruchovost: | - |
| Detailní popis: | 33 mOhms ±2% 0.25W, 1/4W Chip Resistor 0805 (2012 Metric) Current Sense Thin Film |
| Složení: | Thin Film |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro RL1220T-R033-G
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
RL1220T-R051-J | Susumu | RES 0.051 OHM 5% 1/4W 0805 | Dotaz |
|
RL1220T-R039-J | Susumu | RES SMD 0.039 OHM 5% 1/4W 0805 | Dotaz |
|
RL1220T-R030-J | Susumu | RES SMD 0.03 OHM 5% 1/4W 0805 | Dotaz |
|
RL1220T-R047-J | Susumu | RES 0.047 OHM 5% 1/4W 0805 | Dotaz |
|
RL1220T-R025-J | Susumu | RES 0.025 OHM 5% 1/4W 0805 | Dotaz |
|
RL1220T-R027-J | Susumu | RES SMD 0.027 OHM 5% 1/4W 0805 | Dotaz |
|
RL1220T-R020-J | Susumu | RES 0.02 OHM 5% 1/4W 0805 | Dotaz |
|
RL1220T-R036-J | Susumu | RES 0.036 OHM 5% 1/4W 0805 | Dotaz |
|
RL1220T-R050-J | Susumu | RES 0.05 OHM 5% 1/4W 0805 | Dotaz |
|
RL1220T-R043-J | Susumu | RES 0.043 OHM 5% 1/4W 0805 | Dotaz |
|
RL1220T-R024-J | Susumu | RES 0.024 OHM 5% 1/4W 0805 | Dotaz |
|
RL1220T-R018-J | Susumu | RES SMD 0.018 OHM 5% 1/4W 0805 | Dotaz |
|
RL1220T-R047-G | Susumu | RES 0.047 OHM 2% 1/4W 0805 | Dotaz |
|
RL1220T-R022-G | Susumu | RES 0.022 OHM 2% 1/4W 0805 | Dotaz |
|
RL1220T-R050-G | Susumu | RES 0.05 OHM 2% 1/4W 0805 | Dotaz |
|
RL1220T-R022-J | Susumu | RES 0.022 OHM 5% 1/4W 0805 | Dotaz |
|
RL1220T-R027-G | Susumu | RES 0.027 OHM 2% 1/4W 0805 | Dotaz |
|
RL1220T-R033-J | Susumu | RES 0.033 OHM 5% 1/4W 0805 | Dotaz |
|
RL1220T-R016-J | Susumu | RES 0.016 OHM 5% 1/4W 0805 | Dotaz |
|
RL1220T-R039-G | Susumu | RES 0.039 OHM 2% 1/4W 0805 | Dotaz |
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení