RH1B-UDC12V je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro RH1B-UDC12V, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro RH1B-UDC12V e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si RH1B-UDC12V s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
RH1B-UDC12V
- Part Number:
- RH1B-UDC12V
- Výrobce:
- IDEC
- Popis:
- RELAY GEN PURPOSE SPDT 10A 12V
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 37520 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- RH1B-UDC12V.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Zapnout napìtí (Max): | 9.6 VDC |
| Vypnout napìtí (Min): | 1.2 VDC |
| styl koncovky: | Plug In, Quick Connect - 0.187" (4.7mm) |
| spínací napětí: | 240VAC, 30VDC - Max |
| Série: | RH |
| Doba uvolnění: | 20ms |
| Typ relé: | General Purpose |
| Obal: | Bulk |
| Ostatní jména: | 1885-1563 |
| Provozní teplota: | -25°C ~ 70°C |
| vypínací čas: | 20ms |
| Typ montáže: | Socketable |
| Výrobní standardní doba výroby: | 4 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Funkce: | - |
| Detailní popis: | General Purpose Relay SPDT (1 Form C) 12VDC Coil Socketable |
| Kontakt Rating (aktuální): | 10A |
| Materiál kontaktu: | Silver Cadmium Oxide (AgCdO) |
| Kontaktní formulář: | SPDT (1 Form C) |
| Coil Voltage: | 12VDC |
| Typ cívky: | Non Latching |
| Odpor cívky: | 47 Ohms |
| Coil Power: | - |
| Coil Current: | 128mA |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro RH1B-UDC12V
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
RH1V2-UDC24V | IDEC | RELAY GEN PURPOSE SPDT 10A 24V | Dotaz |
 |
RH1B-ULDC24V | IDEC | RELAY GEN PURPOSE SPDT 10A 24V | Dotaz |
|
RH1B-UD-DC24V | IDEC | RELAY GEN PURPOSE SPDT 10A 24V | Dotaz |
|
RH1B-ULCAC24V | IDEC | RELAY GEN PURPOSE SPDT 10A 24V | Dotaz |
|
RH1B-UAC240V | IDEC | RELAY GEN PURPOSE SPDT 10A 240V | Dotaz |
|
RH1V2-UDC12V | IDEC | RELAY GEN PURPOSE SPDT 10A 12V | Dotaz |
|
RH1B-ULDC12V | IDEC | RELAY GEN PURPOSE SPDT 10A 12V | Dotaz |
|
RH1B-ULAC120V | IDEC | RELAY GEN PURPOSE SPDT 10A 120V | Dotaz |
|
RH1B-UAC24V | IDEC | RELAY GEN PURPOSE SPDT 10A 24V | Dotaz |
 |
JTN1S-TMP-F-DC6V | Panasonic | RELAY GEN PURPOSE SPDT 20A 6V | Dotaz |
|
RH1B-UDC24V | IDEC | RELAY GEN PURPOSE SPDT 10A 24V | Dotaz |
|
RH1B-ULCDC24V | IDEC | RELAY GEN PURPOSE SPDT 10A 24V | Dotaz |
|
RH1B-UAC120V | IDEC | RELAY GEN PURPOSE SPDT 10A 120V | Dotaz |
|
RH1B-ULCAC120V | IDEC | RELAY GEN PURPOSE SPDT 10A 120V | Dotaz |
 |
RH10015R00FJ01 | Dale / Vishay | RES CHAS MNT 15 OHM 1% 100W | Dotaz |
|
RH1B-ULD-DC24V | IDEC | RELAY GEN PURPOSE SPDT 10A 24V | Dotaz |
 |
8-1393810-7 | Agastat Relays / TE Connectivity | RELAY GEN PURPOSE DPDT 5A 48V | Dotaz |
|
RH1B-ULAC24V | IDEC | RELAY GEN PURPOSE SPDT 10A 24V | Dotaz |
 |
JS1AF-B-9V | Panasonic | RELAY GEN PURPOSE SPST 10A 9V | Dotaz |
|
RH1B-ULAC240V | IDEC | RELAY GEN PURPOSE SPDT 10A 240V | Dotaz |
Latest News
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen