R6020ENJTL je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro R6020ENJTL, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro R6020ENJTL e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si R6020ENJTL s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
R6020ENJTL
- Part Number:
- R6020ENJTL
- Výrobce:
- LAPIS Semiconductor
- Popis:
- MOSFET N-CH 600V 20A LPT
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 55836 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- 1.R6020ENJTL.pdf2.R6020ENJTL.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | LPTS (D2PAK) |
| Série: | - |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 196 mOhm @ 9.5A, 10V |
| Ztráta energie (Max): | 40W (Tc) |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Ostatní jména: | R6020ENJTLTR |
| Provozní teplota: | 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 17 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 1400pF @ 25V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 60nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 600V |
| Detailní popis: | N-Channel 600V 20A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount LPTS (D2PAK) |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 20A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro R6020ENJTL
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
R6020ANZC8 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF | Dotaz |
 |
R6020835ESYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB | Dotaz |
|
R6020435ESYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB | Dotaz |
|
R6020822PSYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB | Dotaz |
 |
R6020ANX | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM | Dotaz |
 |
R6020KNZ1C9 | LAPIS Semiconductor | NCH 600V 20A POWER MOSFET | Dotaz |
|
R6020KNX | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM | Dotaz |
|
R6020635ESYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB | Dotaz |
 |
R6020FNJTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A LPT | Dotaz |
|
R6020ANJTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS | Dotaz |
|
R6020825HSYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB | Dotaz |
|
R6020KNZC8 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO3PF | Dotaz |
|
R6020FNX | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM | Dotaz |
|
R6020KNJTL | LAPIS Semiconductor | NCH 600V 20A POWER MOSFET | Dotaz |
|
R6020ENZ1C9 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A TO247 | Dotaz |
|
R6020622PSYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB | Dotaz |
|
R6020625HSYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB | Dotaz |
|
R6020ENX | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A TO220 | Dotaz |
|
R6021022PSYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205 | Dotaz |
|
R6020ENZC8 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF | Dotaz |
Latest News
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila