R6010830XXYA je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro R6010830XXYA, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro R6010830XXYA e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si R6010830XXYA s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
R6010830XXYA
- Part Number:
- R6010830XXYA
- Výrobce:
- Powerex, Inc.
- Popis:
- RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO-
- Vedoucí volný stav:
- RoHS kompatibilní
- Množství zásob:
- 38096 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- R6010830XXYA.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - DC Reverse (Vr) (Max): | 800V |
| Dodavatel zařízení Package: | DO-205AB, DO-9 |
| Rychlost: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Série: | - |
| Stav RoHS: | RoHS Compliant |
| Reverse Time Recovery (TRR): | 13µs |
| Paket / krabice: | DO-205AB, DO-9, Stud |
| Provozní teplota - spojení: | -65°C ~ 150°C |
| Typ montáže: | Stud Mount |
| Výrobní standardní doba výroby: | 12 Weeks |
| Diode Type: | Standard, Reverse Polarity |
| Detailní popis: | Diode Standard, Reverse Polarity 800V 300A Stud Mount DO-205AB, DO-9 |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 50mA @ 800V |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io): | 300A |
| Kapacitní @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro R6010830XXYA
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
R6010430XXYA | Powerex, Inc. | RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO- | Dotaz |
 |
R6009ENX | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 9A TO220 | Dotaz |
|
R6009KNX | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM | Dotaz |
|
R6010ANX | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM | Dotaz |
|
R6011430XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.4KV 300A DO205 | Dotaz |
|
R6010230XXYA | Powerex, Inc. | RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO- | Dotaz |
|
R6010425XXYA | Powerex, Inc. | RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO- | Dotaz |
 |
R6009KNJTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO263 | Dotaz |
|
R6011825XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205 | Dotaz |
|
R6011230XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.2KV 300A DO205 | Dotaz |
|
R6011630XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205 | Dotaz |
|
R6010625XXYA | Powerex, Inc. | RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO- | Dotaz |
|
R6011425XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205 | Dotaz |
|
R6010225XXYA | Powerex, Inc. | RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO- | Dotaz |
|
R6011030XXYA | Powerex, Inc. | RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO- | Dotaz |
|
R6011625XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.6KV 250A DO205 | Dotaz |
|
R6011025XXYA | Powerex, Inc. | RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO- | Dotaz |
|
R6011225XXYA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205 | Dotaz |
|
R6010630XXYA | Powerex, Inc. | RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO- | Dotaz |
|
R6010825XXYA | Powerex, Inc. | RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO- | Dotaz |
Latest News
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen