PZM4.7NB2A,115 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro PZM4.7NB2A,115, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro PZM4.7NB2A,115 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si PZM4.7NB2A,115 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
PZM4.7NB2A,115
- Part Number:
- PZM4.7NB2A,115
- Výrobce:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Popis:
- DIODE ZENER 4.7V 220MW SMT3
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 45694 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- PZM4.7NB2A,115.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Izolace: | 80 Ohm |
| Napětí - Rozdělení: | SMT3; MPAK |
| Série: | - |
| Stav RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Power - Max: | 220mW |
| Polarizace: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Ostatní jména: | 934055618115 PZM4.7NB2A T/R PZM4.7NB2A T/R-ND |
| Provozní teplota: | - |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní číslo výrobce: | PZM4.7NB2A,115 |
| Impedance (Max) (ZZT): | 4.7V |
| Rozšířený popis: | Zener Diode 220mW ±2% Surface Mount SMT3; MPAK |
| ESR (Equivalent Resistance Series): | ±2% |
| Konfigurace dioda: | 3µA @ 1V |
| Popis: | DIODE ZENER 4.7V 220MW SMT3 |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 1.1V @ 100mA |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro PZM4.7NB2A,115
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
PZM4.7NB3,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 4.7V 300MW SMT3 | Dotaz |
|
PZM36NB,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 36V 300MW SMT3 | Dotaz |
|
PZM5.1NB,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 5.1V 300MW SMT3 | Dotaz |
|
PZM5.6NB1,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 5.6V 300MW SMT3 | Dotaz |
|
PZM5.1NB2A,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 5.1V 220MW SMT3 | Dotaz |
|
PZM4.3NB2,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 4.3V 300MW SMT3 | Dotaz |
|
PZM5.1NB1,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 5.1V 300MW SMT3 | Dotaz |
|
PZM5.6NB2A,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 5.6V 220MW SMT3 | Dotaz |
|
PZM5.1NB3,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 5.1V 300MW SMT3 | Dotaz |
|
PZM4.7NB2,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 4.7V 300MW SMT3 | Dotaz |
|
PZM33NB,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 33V 300MW SMT3 | Dotaz |
|
PZM4.3NB1,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 4.3V 300MW SMT3 | Dotaz |
|
PZM4.7NB,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 4.7V 300MW SMT3 | Dotaz |
|
PZM5.6NB2,115 | NXP Semiconductors / Freescale | DIODE ZENER 5.6V 300MW SMT3 | Dotaz |
|
PZM5.6NB,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 5.6V 300MW SMT3 | Dotaz |
|
PZM4.3NB2A,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 4.3V 220MW SMT3 | Dotaz |
|
PZM4.3NB3,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 4.3V 300MW SMT3 | Dotaz |
|
PZM4.3NB,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 4.3V 300MW SMT3 | Dotaz |
|
PZM4.7NB1,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 4.7V 300MW SMT3 | Dotaz |
|
PZM5.1NB2,115 | NXP USA Inc. | DIODE ZENER 5.1V 300MW SMT3 | Dotaz |
Latest News
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen