PUMB11,135 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro PUMB11,135, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro PUMB11,135 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si PUMB11,135 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
PUMB11,135
- Part Number:
- PUMB11,135
- Výrobce:
- Nexperia
- Popis:
- TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 44113 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- PUMB11,135.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 50V |
| VCE Saturation (Max) @ IB, IC: | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Transistor Type: | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Dodavatel zařízení Package: | 6-TSSOP |
| Série: | - |
| Resistor - emitorová základna (R2): | 10 kOhms |
| Rezistor - základna (R1): | 10 kOhms |
| Power - Max: | 300mW |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Ostatní jména: | 934056289135 |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvence - Přechod: | - |
| Detailní popis: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 30 @ 5mA, 5V |
| Aktuální - sběratel Cutoff (Max): | 1µA |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 100mA |
| Číslo základní části: | MB11 |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro PUMB11,135
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
PUMB1,135 | Nexperia | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP | Dotaz |
|
PUMB1,115 | Nexperia | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP | Dotaz |
|
PUMB4,115 | Nexperia | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP | Dotaz |
|
PUMB17,115 | Nexperia | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP | Dotaz |
|
PUMB3,115 | Nexperia | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP | Dotaz |
|
PUMB18,115 | Nexperia | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP | Dotaz |
|
PUMB20,115 | Nexperia | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP | Dotaz |
|
PUMB15,115 | Nexperia | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP | Dotaz |
|
PUMB16,115 | Nexperia | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP | Dotaz |
 |
PUMB1/DG/B3,115 | Nexperia | TRANS RET SC-88 | Dotaz |
|
PUMB2/DG/B3,115 | Nexperia | TRANS RET SC-88 | Dotaz |
|
PUMB30,115 | Nexperia | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP | Dotaz |
|
PUMB2F | Nexperia | PUMB2/SOT363/SC-88 | Dotaz |
|
PUMB2,115 | Nexperia | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP | Dotaz |
|
PUMB13,115 | Nexperia | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP | Dotaz |
|
PUMB14,115 | Nexperia | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP | Dotaz |
|
PUMB11,115 | Nexperia | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP | Dotaz |
|
PUMB19,115 | Nexperia | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP | Dotaz |
|
PUMB10,115 | Nexperia | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP | Dotaz |
|
PUMB24,115 | Nexperia | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP | Dotaz |
Latest News
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen