PTFA211801E V4 R250 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro PTFA211801E V4 R250, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro PTFA211801E V4 R250 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si PTFA211801E V4 R250 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
PTFA211801E V4 R250
- Part Number:
- PTFA211801E V4 R250
- Popis:
- FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 57821 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- PTFA211801E V4 R250.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Test: | 28V |
| Napětí - Jmenovitá: | 65V |
| Transistor Type: | LDMOS |
| Dodavatel zařízení Package: | H-36260-2 |
| Série: | - |
| Power - Výstup: | 35W |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | 2-Flatpack, Fin Leads |
| Ostatní jména: | PTFA211801E V4 R250-ND PTFA211801EV4R250 SP000384424 |
| hluk Obrázek: | - |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Získat: | 15.5dB |
| Frekvence: | 2.14GHz |
| Detailní popis: | RF Mosfet LDMOS 28V 1.2A 2.14GHz 15.5dB 35W H-36260-2 |
| Jmenovitá hodnota proudu: | 10µA |
| Aktuální - Test: | 1.2A |
| Číslo základní části: | PTFA211801 |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro PTFA211801E V4 R250
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení