PSMN2R6-30YLC,115 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro PSMN2R6-30YLC,115, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro PSMN2R6-30YLC,115 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si PSMN2R6-30YLC,115 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
PSMN2R6-30YLC,115
- Part Number:
- PSMN2R6-30YLC,115
- Výrobce:
- Nexperia
- Popis:
- MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 34035 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- PSMN2R6-30YLC,115.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 1.95V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | LFPAK56, Power-SO8 |
| Série: | - |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 2.8 mOhm @ 25A, 10V |
| Ztráta energie (Max): | 106W (Tc) |
| Obal: | Original-Reel® |
| Paket / krabice: | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK |
| Ostatní jména: | 1727-5300-6 568-6730-6 568-6730-6-ND |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 2435pF @ 15V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 39nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 4.5V, 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 30V |
| Detailní popis: | N-Channel 30V 100A (Tc) 106W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro PSMN2R6-30YLC,115
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
PSMN2R1-60CSJ | Nexperia | MOSFET N-CH 60V D2PAK | Dotaz |
 |
PSMN2R2-25YLC,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK | Dotaz |
 |
PSMN2R5-60PLQ | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 1.5A TO-220 | Dotaz |
 |
PSMN2R4-30MLDX | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 | Dotaz |
|
PSMN2R1-40PLQ | Nexperia | MOSFET N-CH 40V 150A TO-220 | Dotaz |
|
PSMN2R5-30YL,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | Dotaz |
|
PSMN2R9-30MLC,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 | Dotaz |
|
PSMN2R8-40PS,127 | Nexperia | MOSFET N-CH 40V TO220AB | Dotaz |
|
PSMN2R2-30YLC,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | Dotaz |
|
PSMN2R2-40PS,127 | Nexperia | MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB | Dotaz |
 |
PSMN2R2-40BS,118 | Nexperia | MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK | Dotaz |
|
PSMN2R8-40BS,118 | Nexperia | MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK | Dotaz |
|
PSMN2R8-80BS,118 | Nexperia | MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK | Dotaz |
|
PSMN2R6-60PSQ | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 150A TO-220 | Dotaz |
|
PSMN2R7-30BL,118 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | Dotaz |
 |
PSMN2R9-25YLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK | Dotaz |
|
PSMN2R8-25MLC,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33 | Dotaz |
|
PSMN2R6-40YS,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK | Dotaz |
|
PSMN2R4-30YLDX | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | Dotaz |
|
PSMN2R7-30PL,127 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V TO220AB | Dotaz |
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení