PMCM4401VNEAZ je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro PMCM4401VNEAZ, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro PMCM4401VNEAZ e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si PMCM4401VNEAZ s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
PMCM4401VNEAZ
- Part Number:
- PMCM4401VNEAZ
- Výrobce:
- Nexperia
- Popis:
- MOSFET N-CH 12V WLCSP
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 35771 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- PMCM4401VNEAZ.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 900mV @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | 4-WLCSP (2x2) |
| Série: | - |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 42 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Ztráta energie (Max): | 400mW (Ta), 12.5W (Tc) |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | 4-XFBGA, WLCSP |
| Ostatní jména: | 1727-2686-2 568-13205-2 568-13205-2-ND 934068854084 PMCM4401VNEAZ-ND |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 335pF @ 6V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 9nC @ 4.5V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 1.5V, 4.5V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 12V |
| Detailní popis: | N-Channel 12V 4.7A (Ta) 400mW (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount 4-WLCSP (2x2) |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 4.7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro PMCM4401VNEAZ
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
PMC1812-101 | Bourns, Inc. | FERRITE BEAD 100 OHM 1812 1LN | Dotaz |
 |
PMCM6501VNEZ | Nexperia | MOSFET N-CH 12V 6WLCSP | Dotaz |
 |
PMCM4401UNEZ | Nexperia | MOSFET N-CHANNEL 20V 4WLCSP | Dotaz |
 |
PMCM440VNEZ | Nexperia | MOSFET N-CH 12V 4WLCSP | Dotaz |
|
PMC1806-151 | Bourns, Inc. | FERRITE BEAD 150 OHM 1806 1LN | Dotaz |
|
PMCM4401VPEZ | Nexperia | MOSFET P-CH 12V WLCSP | Dotaz |
|
PMC1210-650 | Bourns, Inc. | FERRITE BEAD 65 OHM 1210 1LN | Dotaz |
|
PMC1806-101 | Bourns, Inc. | FERRITE BEAD 100 OHM 1806 1LN | Dotaz |
|
PMCM6501UPEZ | Nexperia | MOSFET P-CHANNEL 20V 4WLCSP | Dotaz |
 |
PMC85XP,115 | Nexperia | MOSFET NPN/P CH 30V 2.6A 6HUSON | Dotaz |
 |
PMCM4401UPEZ | Nexperia | MOSFET P-CHANNEL 20V 4A 4WLCSP | Dotaz |
 |
PMCM6501VPEZ | Nexperia | MOSFET P-CH 12V 6WLCSP | Dotaz |
 |
PMCM440VNE/S500Z | Nexperia | MOSFET N-CHANNEL 12V 5A 4WLCSP | Dotaz |
|
PMCM650CUNEZ | Nexperia | PMCM650CUNE NAX000 NONE | Dotaz |
|
PMC1812-121 | Bourns, Inc. | FERRITE BEAD 120 OHM 1812 1LN | Dotaz |
|
PMCM650VNE/S500Z | Nexperia | MOSFET N-CH 12V 8.4A 6WLCSP | Dotaz |
|
PMC1806-600 | Bourns, Inc. | FERRITE BEAD 60 OHM 1806 1LN | Dotaz |
 |
PMCM6501UNEZ | Nexperia | MOSFET N-CHANNEL 20V 6WLCSP | Dotaz |
|
PMCM4402UPEZ | Nexperia | MOSFET P-CHANNEL 20V 4WLCSP | Dotaz |
|
PMC1210-750 | Bourns, Inc. | FERRITE BEAD 75 OHM 1210 1LN | Dotaz |
Latest News
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU