PD100MF0MP1 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro PD100MF0MP1, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro PD100MF0MP1 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si PD100MF0MP1 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
PD100MF0MP1
- Part Number:
- PD100MF0MP1
- Výrobce:
- Sharp Microelectronics
- Popis:
- PHOTODIODE TOP VIEW 850NM SMD
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 30192 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- PD100MF0MP1.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Vlnová délka: | 850nm |
| Napětí - DC Reverse (Vr) (Max): | 20V |
| Úhel pohledu: | 40° |
| spektrální rozsah: | 680nm ~ 1100nm |
| Série: | - |
| Responsivity @ nm: | - |
| Doba odezvy: | 10ns |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | 2-SMD, No Lead |
| Ostatní jména: | 425-2672-2 PD100MF0MP1-ND |
| Provozní teplota: | -30°C ~ 85°C |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 2 (1 Year) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Type: | - |
| Detailní popis: | Photodiode 850nm 10ns 40° 2-SMD, No Lead |
| Proud - Tmavý (Typ): | 10nA |
| Barva - Enhanced: | - |
| aktivní plocha: | - |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro PD100MF0MP1
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
PD101SC0SS0F | Sharp Microelectronics | PHOTODIODE IR 820NM SIDE LOOK | Dotaz |
 |
PD100MC0MP1 | Sharp Microelectronics | PHOTODIODE IR 820NM TOP VIEW | Dotaz |
 |
PD104R-333K | API Delevan | FIXED IND 33UH 1.3A 130 MOHM SMD | Dotaz |
|
PD104R-123K | API Delevan | FIXED IND 12UH 2.2A 60 MOHM SMD | Dotaz |
|
PD104R-153K | API Delevan | FIXED IND 15UH 2A 70 MOHM SMD | Dotaz |
|
PD104R-124K | API Delevan | FIXED IND 120UH 670MA 450 MOHM | Dotaz |
|
PD104R-154K | API Delevan | FIXED IND 150UH 610MA 540 MOHM | Dotaz |
|
PD104R-393K | API Delevan | FIXED IND 39UH 1.2A 150 MOHM SMD | Dotaz |
 |
PD100MC0MP | Sharp Microelectronics | PHOTODIODE IR 820NM SIDE LOOK | Dotaz |
|
PD104R-274K | API Delevan | FIXED IND 270UH 480MA 900 MOHM | Dotaz |
 |
PD100MF0MP | Sharp Microelectronics | PHOTODIODE IR 850NM SIDE LOOK | Dotaz |
|
PD104R-184K | API Delevan | FIXED IND 180UH 570MA 630 MOHM | Dotaz |
|
PD104R-183K | API Delevan | FIXED IND 18UH 1.8A 80 MOHM SMD | Dotaz |
|
PD104R-273K | API Delevan | FIXED IND 27UH 1.45A 110 MOHM | Dotaz |
|
PD101SC0SS | Sharp Microelectronics | PHOTODIODE IR 820NM SIDE LOOK | Dotaz |
|
PD104R-334K | API Delevan | FIXED IND 330UH 420MA 1.1 OHM | Dotaz |
|
PD104R-224K | API Delevan | FIXED IND 220UH 530MA 720 MOHM | Dotaz |
|
PD104R-103K | API Delevan | FIXED IND 10UH 2.38A 50 MOHM SMD | Dotaz |
|
PD104R-223K | API Delevan | FIXED IND 22UH 1.6A 90 MOHM SMD | Dotaz |
|
PD104R-104K | API Delevan | FIXED IND 100UH 740MA 340 MOHM | Dotaz |
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení