PBSS5330X,115 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro PBSS5330X,115, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro PBSS5330X,115 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si PBSS5330X,115 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
PBSS5330X,115
- Part Number:
- PBSS5330X,115
- Výrobce:
- Nexperia
- Popis:
- TRANS PNP 30V 3A SOT89
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 57502 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- PBSS5330X,115.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 30V |
| VCE Saturation (Max) @ IB, IC: | 320mV @ 300mA, 3A |
| Transistor Type: | PNP |
| Dodavatel zařízení Package: | SOT-89-3 |
| Série: | - |
| Power - Max: | 1.6W |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | TO-243AA |
| Ostatní jména: | 1727-5770-2 568-7318-2 568-7318-2-ND 934058037115 PBSS5330X T/R PBSS5330X T/R-ND PBSS5330X,115-ND |
| Provozní teplota: | 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvence - Přechod: | 100MHz |
| Detailní popis: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 30V 3A 100MHz 1.6W Surface Mount SOT-89-3 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 175 @ 1A, 2V |
| Aktuální - sběratel Cutoff (Max): | 100nA |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 3A |
| Číslo základní části: | PBSS5330 |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro PBSS5330X,115
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
PBSS5350D,125 | Nexperia | TRANS PNP 50V 3A 6TSOP | Dotaz |
 |
PBSS5330PASX | Nexperia | IC TRANS PNP 30V 3A SOT1061 | Dotaz |
|
PBSS5350D,135 | Nexperia | TRANS PNP 50V 3A 6TSOP | Dotaz |
 |
PBSS5320T,215 | Nexperia | TRANS PNP 20V 2A SOT23 | Dotaz |
|
PBSS5350D,115 | Nexperia | TRANS PNP 50V 3A 6TSOP | Dotaz |
 |
PBSS5330X,135 | Nexperia | TRANS PNP 30V 3A SOT89 | Dotaz |
 |
PBSS5260PAPSX | Nexperia | TRANS 2PNP 60V 2A 6HUSON | Dotaz |
|
PBSS5350THR | Nexperia | PBSS5350TH/SOT23/TO-236AB | Dotaz |
 |
PBSS5350S,126 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANS PNP 50V 3A TO92 | Dotaz |
 |
PBSS5350SS,115 | Nexperia | TRANS 2PNP 50V 2.7A 8SO | Dotaz |
 |
PBSS5330XZ | Nexperia | TRANS PNP 30V 3A SOT89 | Dotaz |
|
PBSS5330PA,135 | Nexperia | TRANS PNP 30V 3A HUSON3 | Dotaz |
|
PBSS5320D,125 | Nexperia | TRANS PNP 20V 3A 6TSOP | Dotaz |
|
PBSS5320X,135 | Nexperia | TRANS PNP 20V 3A SOT89 | Dotaz |
|
PBSS5260PAP,115 | Nexperia | TRANS 2PNP 60V 2A 6HUSON | Dotaz |
|
PBSS5330PA,115 | Nexperia | TRANS PNP 30V 3A SOT1061 | Dotaz |
 |
PBSS5350TVL | Nexperia | PBSS5350T/SOT23/TO-236AB | Dotaz |
 |
PBSS5260QAZ | Nexperia | TRANS PNP 60V 1.7A DFN1010D-3 | Dotaz |
|
PBSS5320D,115 | Nexperia | TRANS PNP 20V 3A 6TSOP | Dotaz |
|
PBSS5350T,215 | Nexperia | TRANS PNP 50V 2A SOT23 | Dotaz |
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení