PBSS4230QAZ je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro PBSS4230QAZ, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro PBSS4230QAZ e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si PBSS4230QAZ s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
PBSS4230QAZ
- Part Number:
- PBSS4230QAZ
- Výrobce:
- Nexperia
- Popis:
- TRANS NPN 30V 2A 3DFN
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 49259 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- PBSS4230QAZ.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 30V |
| VCE Saturation (Max) @ IB, IC: | 190mV @ 50mA, 1A |
| Transistor Type: | NPN |
| Dodavatel zařízení Package: | DFN1010D-3 |
| Série: | - |
| Power - Max: | 325mW |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | 3-XDFN Exposed Pad |
| Ostatní jména: | 1727-1463-2 568-10934-2 568-10934-2-ND 934067161147 PBSS4230QA PBSS4230QAZ-ND |
| Provozní teplota: | 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 8 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvence - Přechod: | 190MHz |
| Detailní popis: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 2A 190MHz 325mW Surface Mount DFN1010D-3 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100 @ 2A, 2V |
| Aktuální - sběratel Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 2A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro PBSS4230QAZ
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
PBSS4240V,115 | Nexperia | TRANS NPN 40V 2A SOT666 | Dotaz |
|
PBSS4220V,115 | Nexperia | TRANS NPN 20V 2A SOT666 | Dotaz |
 |
PBSS4230PANP,115 | Nexperia | TRANS NPN/PNP 30V 2A 6HUSON | Dotaz |
 |
PBSS4240TVL | Nexperia | PBSS4240T/SOT23/TO-236AB | Dotaz |
 |
PBSS4240DPN,115 | Nexperia | TRANS NPN/PNP 40V 6TSOP | Dotaz |
 |
PBSS4230T,215 | Nexperia | TRANS NPN 30V 2A SOT23 | Dotaz |
 |
PBSS4230QAZ | Nexperia USA Inc. | TRANS NPN 30V 2A DFN1010D-3 | Dotaz |
 |
PBSS4160XF | Nexperia | PBSS4160X/SOT89/MPT3 | Dotaz |
|
PBSS4230PAN,115 | Nexperia | TRANS 30V 2A 6HUSON | Dotaz |
 |
PBSS4160TVL | Nexperia | PBSS4160T/SOT23/TO-236AB | Dotaz |
|
PBSS4160XX | Nexperia | PBSS4160X/SOT89/MPT3 | Dotaz |
|
PBSS4220PANSX | Nexperia | TRANS 2NPN 20V 2A 6HUSON | Dotaz |
 |
PBSS4240XF | Nexperia | TRANS NPN 40V 2A SOT89 | Dotaz |
|
PBSS4240XF | Nexperia USA Inc. | TRANS NPN 40V 2A SOT89 | Dotaz |
|
PBSS4160T,215 | Nexperia | TRANS NPN 60V 1A SOT23 | Dotaz |
|
PBSS4240XX | Nexperia | TRANS NPN 40V 2A SOT89 | Dotaz |
|
PBSS4240T,215 | Nexperia | TRANS NPN 40V 2A SOT23 | Dotaz |
 |
PBSS4160U,115 | Nexperia | TRANS NPN 60V 0.75A SOT323 | Dotaz |
 |
PBSS4240Y,115 | Nexperia | TRANS NPN 40V 2A 6TSSOP | Dotaz |
|
PBSS4160V,115 | Nexperia | TRANS NPN 60V 0.9A SOT666 | Dotaz |
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení