ORNV10021002T0 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro ORNV10021002T0, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro ORNV10021002T0 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si ORNV10021002T0 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
ORNV10021002T0
- Part Number:
- ORNV10021002T0
- Výrobce:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Popis:
- RES NETWORK 5 RES 10K OHM 8SOIC
- Vedoucí volný stav:
- Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
- Množství zásob:
- 58064 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- ORNV10021002T0.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Tolerance: | ±0.1% |
| teplotní koeficient: | ±25ppm/°C |
| Dodavatel zařízení Package: | - |
| Velikost / Rozměry: | 0.194" L x 0.157" W (4.93mm x 3.99mm) |
| Série: | ORNV |
| Resistor-Ratio-Drift: | ±5 ppm/°C |
| Odpovídající poměr rezistoru: | ±0.05% |
| Odpor (Ohm): | 10k |
| Power Per Element: | 100mW |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 125°C |
| Počet rezistory: | 5 |
| Počet Pins: | 8 |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 12 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Výška - Sedící (Max): | 0.068" (1.73mm) |
| Detailní popis: | 10k Ohm ±0.1% 100mW Power Per Element Voltage Divider 5 Resistor Network/Array ±25ppm/°C 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Typ obvodu: | Voltage Divider |
| Aplikace: | Voltage Divider (TCR Matched) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro ORNV10021002T0
Latest News
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila