NTD4909NAT4G je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro NTD4909NAT4G, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro NTD4909NAT4G e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si NTD4909NAT4G s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
NTD4909NAT4G
- Part Number:
- NTD4909NAT4G
- Popis:
- MOSFET N-CH 30V 41A SGL DPAK
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 27747 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- NTD4909NAT4G.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 2.2V @ 250µA |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | DPAK |
| Série: | - |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 8 mOhm @ 30A, 10V |
| Ztráta energie (Max): | - |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Provozní teplota: | - |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 1314pF @ 15V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 17.5nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 30V |
| Detailní popis: | N-Channel 30V 8.8A (Ta), 41A (Tc) Surface Mount DPAK |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 8.8A (Ta), 41A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro NTD4909NAT4G
Latest News
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED