NS8GTHE3_A/P je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro NS8GTHE3_A/P, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro NS8GTHE3_A/P e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si NS8GTHE3_A/P s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
NS8GTHE3_A/P
- Part Number:
- NS8GTHE3_A/P
- Výrobce:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Popis:
- DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 25953 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- NS8GTHE3_A/P.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 1.1V @ 8A |
| Napětí - DC Reverse (Vr) (Max): | 400V |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-220AC |
| Rychlost: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Série: | Automotive, AEC-Q101 |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-220-2 |
| Provozní teplota - spojení: | -55°C ~ 150°C |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Type: | Standard |
| Detailní popis: | Diode Standard 400V 8A Through Hole TO-220AC |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 10µA @ 400V |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io): | 8A |
| Kapacitní @ Vr, F: | 55pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro NS8GTHE3_A/P
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení