NLV14081BDR2G je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro NLV14081BDR2G, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro NLV14081BDR2G e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si NLV14081BDR2G s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
NLV14081BDR2G
- Part Number:
- NLV14081BDR2G
- Popis:
- IC GATE AND 4CH 2-INP 14SOIC
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 48309 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- NLV14081BDR2G.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Supply: | 3 V ~ 18 V |
| Dodavatel zařízení Package: | 14-SOIC |
| Série: | 4000B |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 125°C |
| Počet vstupů: | 2 |
| Počet okruhů: | 4 |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Max prodlení propagace @ V, Max CL: | 100ns @ 15V, 50pF |
| Výrobní standardní doba výroby: | 20 Weeks |
| Typ logiky: | AND Gate |
| Logic Level - Low: | 1.5 V ~ 4 V |
| Logic Level - Vysoká: | 3.5 V ~ 11 V |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Funkce: | - |
| Detailní popis: | AND Gate IC 4 Channel 14-SOIC |
| Proud - Klidový (Max): | 1µA |
| Aktuální - Výstup High, Low: | 8.8mA, 8.8mA |
| Číslo základní části: | 4081 |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro NLV14081BDR2G
Latest News
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS