NLCV25T-R68M-EFRD je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro NLCV25T-R68M-EFRD, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro NLCV25T-R68M-EFRD e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si NLCV25T-R68M-EFRD s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
NLCV25T-R68M-EFRD
- Part Number:
- NLCV25T-R68M-EFRD
- Výrobce:
- TDK Corporation
- Popis:
- FIXED IND 680NH 1.26A 108 MOHM
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 58414 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- NLCV25T-R68M-EFRD.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Typ: | Wirewound |
| Tolerance: | ±20% |
| Dodavatel zařízení Package: | 1008 (2520 Metric) |
| Velikost / Rozměry: | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| stínění: | Unshielded |
| Série: | NLCV-EFD |
| hodnocení: | AEC-Q200 |
| Q @ Freq: | 5 @ 25.2MHz |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | 1008 (2520 Metric) |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 125°C |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiál - jádro: | Ferrite |
| Výrobní standardní doba výroby: | 14 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvence indukčnosti - test: | 25.2MHz |
| indukčnost: | 680nH |
| Výška - Sedící (Max): | 0.075" (1.90mm) |
| Frekvence - Self Resonant: | 160MHz |
| Detailní popis: | 680nH Unshielded Wirewound Inductor 1.26A 108 mOhm Max 1008 (2520 Metric) |
| DC Resistance (DCR): | 108 mOhm Max |
| Jmenovitá hodnota proudu: | 1.26A |
| Proud - Saturace: | - |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro NLCV25T-R68M-EFRD
Latest News
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS
- Velká továrna na čipy byla ovlivněna zemětřesením: TSMC přestala naléhavě fungovat a zhoršovala zásobování GPU v nedostatku?
- Paměť Nand Flash pokračuje, MCU Detocking Bottom je správný