NID6002NT4G je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro NID6002NT4G, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro NID6002NT4G e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si NID6002NT4G s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
NID6002NT4G
- Part Number:
- NID6002NT4G
- Popis:
- IC FET SGL N-CH 6.5A 65V DPAK
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 46272 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- NID6002NT4G.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Supply (Vcc / Vdd): | Not Required |
| Napětí - Load: | 60V (Max) |
| Typ přepínače: | General Purpose |
| Dodavatel zařízení Package: | DPAK |
| Série: | HDPlus™ |
| Rds On (typ): | 185 mOhm |
| Ratio - Vstup: Výstup: | 1:1 |
| Obal: | Cut Tape (CT) |
| Paket / krabice: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Typ výstupu: | N-Channel |
| Konfigurace výstupu: | Low Side |
| Ostatní jména: | NID6002NT4GOSCT |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Počet výstupů: | 1 |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Rozhraní: | On/Off |
| Typ vstupu: | Non-Inverting |
| Funkce: | Auto Restart, Slew Rate Controlled |
| Ochrana proti poruchám: | Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage |
| Proud - výstup (Max): | 6.5A |
| Číslo základní části: | NID6002N |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro NID6002NT4G
Latest News
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC