NCP5355DR2 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro NCP5355DR2, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro NCP5355DR2 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si NCP5355DR2 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
NCP5355DR2
- Part Number:
- NCP5355DR2
- Popis:
- IC DRVR MOSF SYNC BUCK 12V 8SOIC
- Vedoucí volný stav:
- Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
- Množství zásob:
- 43758 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- NCP5355DR2.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Supply: | 8 V ~ 14 V |
| Dodavatel zařízení Package: | 8-SOIC |
| Série: | - |
| Doba vzestupu / pádu (typ): | 15ns, 15ns |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Ostatní jména: | NCP5355DR2OSTR |
| Provozní teplota: | 0°C ~ 125°C (TJ) |
| vstupní frekvence: | 2 |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Logické napětí - VIL, VIH: | 0.8V, 2V |
| Stav volného vedení / RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Typ vstupu: | Inverting, Non-Inverting |
| High Voltage Side - Max (Bootstrap): | 26V |
| Typ brány: | N-Channel MOSFET |
| Řízená konfigurace: | Half-Bridge |
| Detailní popis: | Half-Bridge Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 8-SOIC |
| Aktuální - špičkový výstup (zdroj, dřez): | 2A, 2A |
| Base-emiter (Max): | Synchronous |
| Číslo základní části: | NCP5355 |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro NCP5355DR2
Latest News
- Qorvo spustil vynikající odvětví vysoce -gain 5g mmimo předběžného
- AI simulační cyklus dotaz, AI řídí poptávka po paměti Flash paměť
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC