NCP5109BDR2G je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro NCP5109BDR2G, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro NCP5109BDR2G e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si NCP5109BDR2G s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
NCP5109BDR2G
- Part Number:
- NCP5109BDR2G
- Popis:
- IC DRIVER HI/LOW SIDE HV
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 44800 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- NCP5109BDR2G.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Supply: | 10 V ~ 20 V |
| Dodavatel zařízení Package: | 8-SOIC |
| Série: | - |
| Doba vzestupu / pádu (typ): | 85ns, 35ns |
| Obal: | Original-Reel® |
| Paket / krabice: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Ostatní jména: | NCP5109BDR2GOSDKR |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| vstupní frekvence: | 2 |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 26 Weeks |
| Logické napětí - VIL, VIH: | 0.8V, 2.3V |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ vstupu: | Non-Inverting |
| High Voltage Side - Max (Bootstrap): | 200V |
| Typ brány: | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Řízená konfigurace: | Half-Bridge |
| Detailní popis: | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC |
| Aktuální - špičkový výstup (zdroj, dřez): | 250mA, 500mA |
| Base-emiter (Max): | Independent |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro NCP5109BDR2G
Latest News
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU